제품소개

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STT-MRAM Prober

  • 차세대 메모리인 STT-MRAM에 대한 기술개발 및
    Probing에 필요한 Prober를 취급하고 있습니다.
  • 당사는 국내 대기업에
    STT-MRAM관련 Prober에 대한 납품 실적이 있습니다.
Conventional MRAM
  • 외부 자기장에 의한 자화반전
  • Half Selection 문제
  • Cell Size 20F² 이하 곤란
  • 소자가 작아지면 스위칭 자기장 증가
    → 높은 구동전류 요구
Spin Transfer Torque MRAM
  • 스핀전류에 의한 자화반전
  • 전류를 통해 선택된 Cell 만 스위칭
  • 소자가 작아질수록 스위칭 전류 감소
    → 저 전력소모
  • 구조적으로 단순 (8 F² 가능)